[发明专利]反相电路在审
| 申请号： | 201910185655.3 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110277387A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | H·埃尔迪拉尼;P·福特内奥 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/786;H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z2‑FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z2‑FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 参考端子 第一表面 反相电路 电流路径 开关设置 耦合 反相器 | ||
【主权项】：
1.一种反相器，包括：半导体衬底；Z2‑FET开关，设置在所述半导体衬底的第一表面处；以及又一开关，设置在所述半导体衬底的所述第一表面处，所述又一开关具有在第一参考端子和第二参考端子之间与所述Z2‑FET开关的电流路径串联耦合的电流路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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