[发明专利]一种成膜设备和成膜方法在审
| 申请号： | 201910186076.0 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111696848A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 林伟华;魏明蕊;刘科学;王玉霞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种成膜设备，包括反应腔室和第一进气管路，还包括吹扫管路、排气管路和尾气处理装置。本发明还提供一种采用该成膜设备进行成膜工艺的成膜方法，该方法在成膜工艺前，仅对第一进气管路进行吹扫；在成膜工艺后，对第一进气管路和反应腔室同时进行吹扫。上述成膜设备和成膜方法可以避免前一组被加工工件工艺时，管路中残留的工艺气体对本组被加工工件的成膜均匀性造成影响；还可以避免管路和反应腔室中残留的工艺气体对下一组被加工工件的成膜均匀性造成影响。从而可以保证不同批次处理中被加工工件的工艺结果一致，提高立式炉设备的成膜均匀性，达到DCE氧化工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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