[发明专利]具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器有效
| 申请号： | 201910187206.2 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109981069B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;罗文博;帅垚 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：包括如下步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在损伤的单晶晶圆的下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，得到具有隔离层的单晶薄膜；在具有隔离层的单晶薄膜上表面制备上电极，得到具有隔离层的单晶薄膜体声波谐振器；在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有隔离层的单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
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