[发明专利]一种单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置有效
| 申请号： | 201910187252.2 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109979809B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 帅垚;李洪亮;罗文博;吴传贵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L41/33;C30B33/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；向所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；将所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；将所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。本发明还提供了一种单晶薄膜。本发明所述的单晶薄膜的制备方法，能够有效抑制所述轻离子在晶圆中的高斯深度分布形态，减小后续退火时劈裂面的起伏，降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 谐振器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；(4)将步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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