[发明专利]单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器有效
申请号: | 201910187255.6 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN110011632B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 帅垚;吴传贵;罗文博 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/17;H01L41/29;H01L41/047 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及声波谐振器制备技术领域,尤其是涉及一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器;本发明的目的在于采用单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法,即通过在单晶薄膜层下表面制备覆盖整个单晶薄膜层下表面的具有导电和隔离作用的下电极的设计以解决现有的在键合过程中,键合层产生的气泡导致单晶薄膜层产生裂纹,使得单晶薄层膜翘起或凹陷甚至断裂,影响空腔型体声波谐振器整体性能的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:从单晶晶圆下表面注入高能量离子,高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层,将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层,得到损伤的单晶晶圆;在损伤的单晶晶圆的下表面依次制备覆盖损伤的单晶晶圆的下表面的下电极,且在下电极的表面设置与单晶薄膜层连通的图形化的通孔;在下电极的表面制备图形化的牺牲层,在图形化的牺牲层表面制备键合层,将衬底贴合于键合层上,进行键合处理和晶圆劈裂处理,移除上压电层,得到具有下电极的单晶薄膜;在具有下电极的单晶薄膜上表面制备上电极,得到单晶薄膜体声波谐振器;在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层连通的牺牲层释放孔,释放牺牲层,得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
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