[发明专利]高压半导体装置有效
| 申请号： | 201910187396.8 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110400842B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈鲁夫;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底，具有第一导电类型，源极区和漏极区设置于半导体衬底上，其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分，第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间，第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型，其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面，以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型，其中第一埋层与第一阱重迭。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一半导体衬底，具有一第一导电类型；一源极区和一漏极区，设置于该半导体衬底上，其中该漏极区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，且该源极区包括分别具有该第一导电类型和该第二导电型的两个部分；一第一隔离结构和一第二隔离结构，分别设置于该漏极区的相对两侧，其中该第一隔离结构在该源极区与该漏极区之间；一第一阱，设置于该第二隔离结构下且具有该第一导电类型，其中该第一阱的顶面邻接该第二隔离结构的底面；以及一第一埋层，设置于该半导体衬底内且具有该第一导电类型，其中该第一埋层与该第一阱重迭。
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