[发明专利]一种二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201910188297.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109950149B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄志军 | 申请（专利权）人： | 河源创基电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 何新华 |
| 地址： | 517300 广东省河源市龙川县*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种二极管的制作方法，包括以下步骤：准备单晶硅片，将单晶硅片分成P区和N区，在P区掺入硼元素，在N区掺入磷元素，得到二极管芯片，P区和N区的交界处形成PN结，PN结包括第一平面部、延展部、第二平面部；将二极管芯片送至氧化炉中，在二极管芯片的外侧形成一层二氧化硅氧化膜；利用腐蚀液在二极管芯片两端均腐蚀出凹槽；制作电阻：在两凹槽底部中间的位置都沉积结晶碳材料，使P区和N区两端均具有一个电阻；在二极管芯片两端均溅射一层铝膜，完成制作。本发明提供的二极管的制作方法，制作得到的二极管具有优异的导电稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1掺杂：准备单晶硅片(1)，将单晶硅片(1)分成P区(11)和N区(12)，在P区(11)掺入硼元素，在N区(12)掺入磷元素，得到二极管芯片，P区(11)和N区(12)的交界处形成PN结，PN结包括第一平面部(21)、延展部(22)、第二平面部(23)；S2氧化：将二极管芯片送至氧化炉中，在二极管芯片的外侧形成一层二氧化硅氧化膜(3)；S3腐蚀：利用腐蚀液在二极管芯片两端均腐蚀出凹槽(4)；S4制作电阻：在两凹槽(4)底部中间的位置都沉积结晶碳材料(5)，使P区(11)和N区(12)两端均具有一个电阻；S5金属化：在二极管芯片两端均溅射一层铝膜(6)，完成制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
