[发明专利]激光热处理装置及激光热处理方法在审
| 申请号： | 201910188307.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109686686A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈静;蒋一鸣;李红;陈威;李震;朱津泉;侯晓弈;孙金召 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种激光热处理或退火装置及激光热处理或退火方法，能够有效地对晶圆进行杂质激活处理等热处理。包括：三个激光器，三个激光器各自具有激光控制器；还包括系统控制单元，系统控制单元进行三个激光脉冲的总体时序控制以及与运动台的同步时序控制，系统控制单元为脉冲发生器的形式。该激光热处理或退火装置实现多光束叠加、时序可控，能够实现波长、能量、脉冲作用时间、脉冲作用时序等多个参数的调节，可以实现在同一套装置能够兼容处理较深和较浅热处理或退火工艺加工，在保证获得优异热处理或退火性能的同时可以大幅提高工艺加工效率，降低工艺处理成本。 | ||
| 搜索关键词： | 激光热处理 系统控制单元 热处理 时序 脉冲作用 退火装置 激光器 激光热处理装置 退火 同步时序控制 激光控制器 脉冲发生器 工艺处理 工艺加工 激光脉冲 时序控制 退火工艺 退火性能 杂质激活 多光束 有效地 运动台 波长 晶圆 可控 叠加 兼容 加工 保证 | ||
【主权项】：
1.一种激光热处理装置，对晶圆(4)表面进行热处理，其特征在于，包括：三个激光器(L1、L2、L3)，三个激光器(L1、L2、L3)各自具有激光控制器(C1、C2、C3)；还包括系统控制单元(1)，系统控制单元(1)进行三个激光输出的总体时序控制以及与运动台(5)的同步时序控制，系统控制单元(1)为脉冲发生器的形式，其中三种激光器包含两种波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华卓精科科技股份有限公司，未经北京华卓精科科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910188307.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高温测试分选机
- 下一篇：容置箱、操作台以及承载系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
