[发明专利]石墨烯基IPM模块的先进封装结构及加工工艺在审

专利信息
申请号: 201910188814.5 申请日: 2019-03-13
公开(公告)号: CN109786345A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 鲍婕;徐文艺;王胜群;许媛;周斌;罗仁棠 申请(专利权)人: 黄山宝霓二维新材科技有限公司;黄山谷捷散热科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/50
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 245900 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种石墨烯基IPM模块的先进封装结构及加工工艺,其结构包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、驱动芯片、石墨烯基覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用芯片倒装的先进封装形式,替换掉芯片之间以及芯片到基板的键合引线,从而实现IPM模块的双面散热,提升模块可靠性;同时采用高导热石墨烯材料增强基板局部热点的快速散热,从而降低IPM模块的最高温度,提升模块使用寿命。
搜索关键词: 石墨烯基 先进封装 提升模块 散热器 快速恢复二极管芯片 芯片 覆铜陶瓷基板 石墨烯材料 导热硅脂 封装树脂 缓冲垫片 键合引线 局部热点 快速散热 驱动芯片 使用寿命 双面散热 塑封外壳 芯片倒装 增强基板 高导热 焊料层 焊球 基板 替换
【主权项】:
1.一种石墨烯基IPM模块的先进封装结构,其特征是,包括上石墨烯基覆铜陶瓷基板(17)、下石墨烯基覆铜陶瓷基板(18)及驱动芯片(22);所述上石墨烯基覆铜陶瓷基板(17)是在上覆铜陶瓷基板的上铜层表面设计的石墨烯应用区域贴装氧化还原法制备好的石墨烯基薄膜得到,所述下石墨烯基覆铜陶瓷基板(18)是在下覆铜陶瓷基板的上铜层表面设计的石墨烯应用区域用化学气相沉积法生长石墨烯薄膜得到;所述驱动芯片(22)的正面朝下通过焊球组(24)连接到下石墨烯基覆铜陶瓷基板(18)的上铜层上表面,驱动芯片(22)的背面通过第一焊料层(13)连接到第一缓冲垫片(23)下表面;所述第一缓冲垫片(23)上表面通过第二焊料层(15)与倒置的上石墨烯基覆铜陶瓷基板(17)的上铜层表面相连接。
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