[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910189628.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109950371B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李光;郑悠;赵平林;廖加成;白耀平 | 申请（专利权）人： | 深圳市洲明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 | 代理人： | 章小燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED外延结构及其制备方法，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域，包含：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层；多量子阱发光层中的每一个量子垒层包含多个子层，所述子层的厚度和铝分子的含量按照由底向上的生长方向先递增后递减，递增和递减的分界层为每个量子垒层位于中间的子层。本发明提升了AlGaN基紫外LED的内量子效率和光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED外延结构，由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层；其特征在于：所述多量子阱发光层中的每一个量子垒层包含多个子层，所述子层的厚度和铝分子的含量按照由底向上的生长方向先递增后递减，递增和递减的分界层为每个量子垒层位于中间的子层。
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