[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910189674.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110554568B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张雅晴;张庆裕;林进祥;陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/004;G03F7/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一光刻胶层于一基板之上，其中所述光刻胶层包括与一光酸产生剂混合的一聚合物，所述光酸产生剂与一或多个极性增强基团键结，所述极性增强基团被配置以增加光酸产生剂的一偶极矩；将所述光刻胶层曝光在一辐射光源下；以及显影所述光刻胶层，产生图案化光刻胶层。曝光可将光酸产生剂分离成阳离子和阴离子，使得与阳离子键结的一极性增强基团增加阳离子的极性，且与阴离子键结的一极性增强基团增加阴离子的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一光刻胶层于一基板之上，其中该光刻胶层包括与一光敏单元混合的一聚合物，该光敏单元包括与一光酸产生剂键结的一极性增强基团，该极性增强基团被配置以增加该光酸产生剂的一偶极矩；/n将该光刻胶层曝光在一辐射下；以及/n显影该光刻胶层。/n
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