[发明专利]一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片

摘要

一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，涉及一种谐振器。本发明将现有铂电阻等传统测量精度的0.15℃提高到0.05℃，实现提高温度测量精度的目的。本发明包括谐振器本体、谐振层(2‑1)、硅硅键合层(2‑2)和谐振层固定座(2‑3)，谐振层固定座(2—3)为硅结构，谐振层固定座(2—3)与谐振层(2—1)中谐振器本体的第一锚块(701)、第二锚块(702)和备用电极通路(502)构成一整体，通过硅硅键合层(2—2)将硅与谐振层固定座(2—3)与谐振层(2—1)中的第一锚块(701)、第二锚块(702)和备用电极通路(502)键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构。本发明用于温度敏感测试。

主权项

1.一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：它包括谐振器本体、谐振层(2‑1)、硅硅键合层(2‑2)和谐振层固定座(2‑3)，谐振层固定座(2—3)为硅结构，谐振层固定座(2—3)与谐振层(2—1)中谐振器本体的第一锚块(701)、第二锚块(702)和备用电极通路(502)构成一整体，通过硅硅键合层(2—2)将硅与谐振层固定座(2—3)与谐振层(2—1)中的第一锚块(701)、第二锚块(702)和备用电极通路(502)键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构；谐振器本体包括第一引出电极(101)、第二引出电极(102)、第三引出电极(103)、第四引出电极(104)、第一驱动电极(401)、第二驱动电极(402)、第三驱动电极(403)、备用电极(15)、第一锚块(701)、第二锚块(702)、下横拉梁(142)、上横拉梁(141)、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块(301)、第二连接块(302)、第三连接块(303)、第四连接块(304)、驱动电极通路(501)、备用电极通路(502)、第一连接梁(201)、第四连接梁(204)、第五连接梁(205)、第七连接梁(207)、第二连接梁(202)、第三连接梁(203)、第六连接梁(206)和第八连接梁(208)；第一引出电极(101)、第三驱动电极(403)和第四引出电极(104)位于同一排，第二引出电极(102)、第二驱动电极(402)和第三引出电极(103)位于同一排，第一锚块(701)和第二锚块(702)安装在第二驱动电极(402)和第三驱动电极(403)之间，第一锚块(701)和第二锚块(702)之间分别通过下横拉梁(142)和上横拉梁(141)连接，下横拉梁(142)和上横拉梁(141)与第二驱动电极(402)和第三驱动电极(403)之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块(301)和第二连接块(302)连接后安装在第一锚块(701)的外侧，第三连接块(303)和第四连接块(304)连接后安装在第二锚块(702)的外侧，第一驱动电极(401)与第一连接块(301)和第二连接块(302)之间通过驱动电极通路(501)连接，备用电极(15)与第三连接块(303)和第四连接块(304)之间通过备用电极通路(502)连接，第一引出电极(101)与上谐振单元之间通过第一连接梁(201)连接，第二引出电极(102)与下谐振单元之间通过第四连接梁(204)连接，第三引出电极(103)与下谐振单元之间通过第五连接梁(205)连接，第四引出电极(104)与上谐振单元之间通过第八连接梁(208)连接，第一连接块(301)与上谐振单元之间通过第二连接梁(202)连接，第二连接块(302)与下谐振单元之间通过第三连接梁(203)连接，第三连接块(303)与下谐振单元之间通过第六连接梁(206)连接，第四连接块(304)与上谐振单元之间通过第七连接梁(207)连接。