[发明专利]一种高增益双频片上天线在审
| 申请号： | 201910189799.6 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085969A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘马良;兰皓坤;朱樟明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/30 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高增益双频片上天线，包括自下而上依次设置的馈源结构、第一填充层和电磁带隙结构，其中，所述馈源结构用于将高频电流转换成辐射的电磁波；所述第一填充层用于支撑所述电磁带隙结构；所述电磁带隙结构用于实现所述电磁波在特定频带范围内的传播。本发明的高增益双频片上天线的电磁带隙结构采用双层电磁带隙结构，馈源结构中的金属振子与二氧化硅层形成非中心对称结构，电磁波以非垂直角度入射到电磁带隙结构，从而使该片上天线可以在两个频带工作，同时提升片上天线增益，而且所述馈源结构采用减薄的硅衬底层，可以减少片上天线的电磁能量损耗，从而提升整个片上天线的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁带隙结构 片上天线 馈源结构 电磁波 高增益 双频 填充层 非中心对称结构 二氧化硅层 电磁能量 硅衬底层 金属振子 依次设置 非垂直 高频电 减薄 流转 入射 天线 辐射 传播 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种高增益双频片上天线，其特征在于，包括自下而上依次设置的馈源结构(1)、第一填充层(2)和电磁带隙结构(3)，其中，所述馈源结构(1)用于将高频电流转换成辐射的电磁波；所述第一填充层(2)用于支撑所述电磁带隙结构(3)；所述电磁带隙结构(3)用于实现所述电磁波在特定频带范围内的传播。
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