[发明专利]一种垂直功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910189814.7 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085674B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 何云龙;马晓华;郝跃;杨凌;王冲;毛维 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提供一种垂直功率器件及其制作方法，所述垂直功率器件包括依次设置的漏极金属衬底、第一n |
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| 搜索关键词： | 一种 垂直 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直功率器件，其特征在于，包括依次设置的漏极金属衬底、第一n+GaN接触层、n+GaN过渡层、n‑GaN渡越层、n‑GaN沟道层；所述n‑GaN沟道层的两侧、以及述n‑GaN渡越层上沟道区以外的区域设置有P‑GaN层；所述n‑GaN沟道层两侧、P‑GaN层外侧设置有栅电极；所述P‑GaN层和栅电极上设置有介质层；所述n‑GaN沟道层上设置有第二n+GaN接触层；所述介质层和第二n+GaN接触层上设置源电极。
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