[发明专利]一种HEMT增强型器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910189819.X | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085675A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;何云龙;郝跃;杨凌;王冲;郑雪峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HEMT增强型器件及其制作方法，所述器件包括依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、P‑GaN帽层、钝化层、栅电极、源电极和漏电极；所述源电极和漏电极分别设置于所述势垒层上的有源区内；所述源电极和漏电极之间的缓冲层和势垒层形成纳米沟道；所述P‑GaN帽层位于源电极和漏电极之间，覆盖所述纳米沟道垂直于所述衬底层的两个侧面以及与所述衬底层平行的面；所述栅电极覆盖所述P‑GaN帽层垂直于所述衬底层的两个侧面以及所述P‑GaN帽层与所述衬底层平行的面；所述钝化层覆盖所述源电极和栅电极之间、以及栅电极和漏电极之间的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底层 漏电极 源电极 栅电极 帽层 势垒层 增强型器件 纳米沟道 钝化层 缓冲层 平行 覆盖 垂直 依次设置 侧面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT增强型器件，其特征在于，包括依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、P‑GaN帽层、钝化层、栅电极、源电极和漏电极；所述源电极和漏电极分别设置于所述势垒层上的有源区内；所述源电极和漏电极之间的缓冲层和势垒层形成纳米沟道；所述P‑GaN帽层位于源电极和漏电极之间，覆盖所述纳米沟道垂直于所述衬底层的两个侧面以及与所述衬底层平行的面；所述栅电极覆盖所述P‑GaN帽层垂直于所述衬底层的两个侧面以及所述P‑GaN帽层与所述衬底层平行的面；所述钝化层覆盖所述源电极和栅电极之间、以及栅电极和漏电极之间的区域。
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