[发明专利]一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910190110.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109904050B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佘峻聪;李国赫;黄一峰;邓少芝;许宁生;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用，所述器件结构包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。本发明提供的器件结构制备工艺简单，能够实现二维原子晶体材料平面高效、低压的场发射调控，器件能耗较低，可作为片上集成场致电子发射结构在微纳真空电子器件上获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 极化 调控 二维 原子 晶体 发射 器件 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。
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