[发明专利]用于在半导体本体中形成互补掺杂半导体区域的方法

摘要

本文公开了用于在半导体本体中形成互补掺杂半导体区域的方法。公开了一种方法和半导体装置。该方法包括：在半导体本体中形成第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中的半导体本体上形成第一材料层，使得第一残余沟槽保留在第一沟槽中并且第二残余沟槽保留在第二沟槽中；从第二沟槽去除第一材料；以及在第一残余沟槽中的第一材料层和第二沟槽中的半导体本体上形成第二材料层。第一材料层包括第一掺杂类型的掺杂剂，第二材料层包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的掺杂剂。该方法还包括将掺杂剂从第一沟槽中的第一材料层扩散到半导体本体中以形成第一掺杂区域，并且将掺杂剂从第二沟槽中的第二材料层扩散到半导体本体中以形成第二掺杂区域。

主权项

1.一种方法，包括：在半导体本体(100)中形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)；在所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)中的所述半导体本体(100)上形成第一材料层(21)，使得第一残余沟槽(13)保留在所述第一沟槽(11)中并且第二残余沟槽(14)保留在所述第二沟槽(12)中，其中所述第一材料层(21)包括第一掺杂类型的掺杂剂；从所述第二沟槽去除所述第一材料(21)；在所述第一残余沟槽(13)中的所述第一材料层(21)上以及在所述第二沟槽(12)中的所述半导体本体(100)上形成第二材料层(22)，其中所述第二材料层(22)包括与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的掺杂剂；以及将掺杂剂从所述第一沟槽(11)中的所述第一材料层(21)扩散到所述半导体本体(100)中以形成第一掺杂区域(31)，并且将掺杂剂从所述第二沟槽(12)中的所述第二材料层(22)扩散到所述半导体本体(100)中以形成第二掺杂区域(32)。