[发明专利]一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺有效
| 申请号： | 201910191204.0 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109817591B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 许媛;张燕飞;鲍婕;宁仁霞;陈珍海;周斌;张俊武 | 申请（专利权）人： | 黄山谷捷股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245061 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本发明制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率密度 igbt 模块 双面 水冷 散热 结构 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构，其特征在于，包括：第一覆铜陶瓷基板(62)、第二覆铜陶瓷基板(63)、多个IGBT芯片、多个二极管芯片，其中一部分IGBT芯片正面的发射极表面贴装有石墨烯散热层，所有IGBT芯片背面的集电极通过焊料层连接到缓冲垫片，二极管芯片背面的阴极通过焊料层连接到缓冲垫片，所述缓冲垫片再通过焊料层贴装在第二覆铜陶瓷基板(63)正面的对应位置上；IGBT芯片正面的栅极以及二极管芯片正面的阳极通过焊料层连接到倒置的第一覆铜陶瓷基板(62)正面对应位置，IGBT芯片发射极表面的石墨烯散热层上表面也通过焊料层连接第一覆铜陶瓷基板(62)正面对应位置。
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