[发明专利]一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。

主权项

1.一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；步骤2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；步骤3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi₂Se₃形核层的生长；步骤4)：待步骤3)Bi₂Se₃形核层生长完成后，继续进行Bi₂Se₃高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。