[发明专利]在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法有效
| 申请号： | 201910192567.6 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920727B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张韵;倪茹雪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S2所制备的侧向外延薄膜上自对准形成图形并制备自对准图形化光刻胶；进一步的可继续后续步骤制备外延材料，S4：以步骤S3所制备的自对准图形化光刻胶为掩膜对侧向外延薄膜进行加工；以及S5：清除自对准图形化光刻胶掩膜，完成外延材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 外延 薄膜 对准 形成 图形 制备 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S2所制备的侧向外延薄膜上自对准形成图形并制备自对准图形化光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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