[发明专利]等离子体CVD装置和薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201910193527.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110284124A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 丰田浩孝;铃木阳香;慈幸范洋;奈良井哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;国立大学法人名古屋大学 |
| 主分类号： | C23C16/517 | 分类号： | C23C16/517 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种等离子体CVD装置，其能够有效地在基材上形成高密度的皮膜，在具有导电性的基材上也能够形成皮膜。本发明的一个方式，是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，其具备：在内部使上述等离子体CVD反应发生的腔室；配设于上述腔室内并保持上述基材的保持机构；配设于上述腔室内并生成等离子体的天线；和对上述天线施加正偏压的电源，上述腔室和保持机构为接地电位。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 等离子体CVD装置 皮膜 等离子体CVD 腔室 天线 等离子体 室内 导电性 接地电位 有效地 正偏压 薄膜 电源 施加 制造 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体CVD装置，其是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，具备：在内部使所述等离子体CVD反应发生的腔室、配设于所述腔室内并保持所述基材的保持机构、配设于所述腔室内并生成等离子体的天线、和对所述天线施加正偏压的电源，其中，所述腔室和保持机构为接地电位。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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