[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910193558.9 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110364432A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 辛宗灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有与所述间隔物的至少一部分垂直交叠的第二开口；通过使用所述间隔物作为掩模来去除所述第一掩模层的暴露于所述第二开口的一部分，在所述第一掩模层中形成与所述第一开口相邻的第三开口；以及使用所述第一掩模层和所述间隔物作为掩模来将所述目标层图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 开口 间隔物 半导体器件 光刻胶图案 目标层 掩模 掩模层图案 图案化 衬底 交叠 内壁 去除 制造 垂直 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内侧壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有与所述间隔物的至少一部分垂直交叠的第二开口；通过使用所述间隔物作为掩模来去除所述第一掩模层的暴露于所述第二开口的部分以在所述第一掩模层中形成与所述第一开口相邻的第三开口；以及在形成所述第三开口之后，通过使用所述第一掩模层和所述间隔物作为掩模来将所述目标层图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
