[发明专利]一种光掩膜版及曝光系统有效
| 申请号： | 201910193576.7 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109782523B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;向勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种光掩膜版，属于显示技术领域。所述光掩膜版包括带图形的掩膜版，以及设置于带图形的掩膜版上表面或下表面的光学焦深补偿膜，所述光学焦深补偿膜位于段差较小区域的正上方且仅完全覆盖段差较小区域，可改变光的局部焦深。本发明在掩膜版的上表面或下表面添加的光学焦深补偿膜可以对光的相位以及工艺因子K |
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| 搜索关键词： | 一种 光掩膜版 曝光 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版包括带图形的掩膜版，以及设置于带图形的掩膜版上表面或下表面的光学焦深补偿膜，所述光学焦深补偿膜位于段差较小区域的正上方且仅完全覆盖段差较小区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
