[发明专利]形成光阻图案的方法在审
| 申请号： | 201910193694.8 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110609441A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;林进祥;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种形成光阻图案的方法，包括于形成于基板上的光阻之上形成保护层，以及选择性地将保护层和光阻层暴露于光化辐射。显影保护层和光阻层以形成图案于光阻层中，并去除保护层。保护层包括具有侧链碳氟化合物基团和侧链酸离去基团的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 光阻层 侧链 碳氟化合物基团 光化辐射 光阻图案 聚合物 光阻 基板 去除 显影 图案 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成光阻图案的方法，其特征在于，包括：/n形成一保护层于一基板上的一光阻层之上；/n选择性地曝光该保护层和该光阻层于光化辐射中；/n显影该保护层和该光阻层，以在该保护层和该光阻层中形成一图案；以及/n移除该保护层，/n其中该保护层包括一聚合物，其具有数个侧链碳氟化合物基团和数个侧链酸离去基团。/n
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