[发明专利]光耦合输出层材料、合成方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201910193856.8 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN109912497A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 罗佳佳 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C07D209/94 分类号: C07D209/94;C07D413/14;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种光耦合输出层材料、合成方法及其应用。光耦合输出层材料,通式所示结构为所述光耦合输出层材料的合成方法包括:反应液配制步骤;目标化合物合成步骤;萃取步骤;目标化合物纯化处理步骤。电致发光器件的光耦合输出层所用材料为光耦合输出层材料。本发明通过设计基于二芴并咔唑单元作为桥连中心,在末端连接其他吸收波段很窄的基团进行排列,使得CPL材料在蒸镀过程中能够按照一定的规则的排列,这样CPL具有非常高的n值。
搜索关键词: 光耦合输出层 目标化合物 合成 电致发光器件 纯化处理 合成步骤 末端连接 吸收波段 萃取步骤 咔唑单元 桥连 蒸镀 配制 应用
【主权项】:
1.一种光耦合输出层材料,其特征在于,具有通式所示结构:其中,R1的分子结构为以下分子结构中的任一种:
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