[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201910193986.1 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN109935602B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 卓恩宗;杨凤云 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置,制程方法包括步骤:提供一基底,在基底上依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料;使用半色调掩膜形成第一光阻部,并形成第二光阻部;基于第一光阻部形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时基于第二光阻部形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层;同时在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层。本申请使得显示面板在不增加制程情况下,实现光感应功能。
搜索关键词: 一种 阵列 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基板的制程方法,其特征在于,包括步骤:提供一基底,基底包括主动开关区域和光传感器区域,在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料,以覆盖主动开关区域和光传感器区域;使用半色调掩膜,对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部,并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部;基于第一光阻部,对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时,基于第二光阻部,对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关;同时,在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器。
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