[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置有效
申请号: | 201910193986.1 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN109935602B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置,制程方法包括步骤:提供一基底,在基底上依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料;使用半色调掩膜形成第一光阻部,并形成第二光阻部;基于第一光阻部形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时基于第二光阻部形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层;同时在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层。本申请使得显示面板在不增加制程情况下,实现光感应功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制程方法,其特征在于,包括步骤:提供一基底,基底包括主动开关区域和光传感器区域,在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料,以覆盖主动开关区域和光传感器区域;使用半色调掩膜,对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部,并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部;基于第一光阻部,对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时,基于第二光阻部,对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关;同时,在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的