[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201910194047.9 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111696968B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;全昌镐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/78;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构的制造方法，包括：形成晶圆堆叠结构，所述晶圆堆叠结构包括至少二片晶圆，所述晶圆包括若干芯片；对所述晶圆堆叠结构进行切割步骤，且在所述晶圆堆叠结构切割步骤之后，所述晶圆堆叠结构中的所述若干芯片处于未分离状态；进行所述芯片分离步骤，使所述晶圆堆叠结构中的所述芯片相分离。本发明能够有效的避免对晶圆中芯片造成误切割，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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