[发明专利]低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910194062.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904227B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王玮;王宏兴;张明辉;林芳;问峰;王艳丰;陈根强;卜忍安 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。 | ||
| 搜索关键词： | 函数 导电 栅极 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底(1)、单晶金刚石外延薄膜(2)、导电沟道(3)、源极(4)、漏极(5)、低功函数导电栅极层(6)和栅电极(7)；金刚石衬底(1)上设有一层单晶金刚石外延薄膜(2)；单晶金刚石外延薄膜(2)上设置有源极(4)和漏极(5)；源极(4)和漏极(5)之间的单晶金刚石外延薄膜(2)上形成有导电沟道(3)；导电沟道(3)上设置有低功函数导电栅极层(6)，低功函数导电栅极层(6)上设置有栅电极(7)；其中，低功函数导电栅极层(6)与导电沟道(3)接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910194062.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
