[发明专利]一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用

摘要

本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本。

主权项

1.一种减薄碳化硅片的方法，其特征在于：包括以下步骤，沉积步骤，包括在碳化硅片的背面沉积金属层；热反应步骤，包括将沉积金属层的碳化硅片在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，包括在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，包括采用酸性溶液对贴保护膜的碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，包括对酸性溶液浸泡的产物进行水冲洗，并干燥；机械磨削步骤，包括采用磨头对酸腐蚀和水洗后的碳化硅片的背面进行磨削，使碳化硅片减薄；去保护膜步骤，包括去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。