[发明专利]界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910194666.8 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904228B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王玮;王宏兴;林芳;张明辉;问峰;王艳丰;陈根强;卜忍安 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 电荷 补偿 常关型 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底(1)、单晶金刚石外延薄膜(2)、导电沟道(3)、源极(4)、漏极(5)、给电子材料层(6)和栅电极(7)；金刚石衬底(1)上设有一层单晶金刚石外延薄膜(2)；单晶金刚石外延薄膜(2)上设置有源极(4)和漏极(5)；源极(4)和漏极(5)之间的单晶金刚石外延薄膜(2)上形成有导电沟道(3)；给电子材料层(6)覆盖源极(4)与漏极(5)之间部分导电沟道(3)，或者给电子材料层(6)覆盖全部导电沟道(3)及部分源极(4)和部分漏极(5)；其中，给电子材料层(6)的费米能级高于导电沟道(3)的费米能级；给电子材料层(6)上设置有栅电极(7)。
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