[发明专利]互连线结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910194747.8 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111696914B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种互连线结构的制备方法。该互连线结构的制备方法在第一介电层位于各第一沟槽内的区域形成空腔，且向空腔内填充预设介质，通过第二导电层的第二沟槽去除各空腔内的预设介质，并形成覆盖第二导电层的第二介电层，该第二介电层填充各第二沟槽，并覆盖各空腔的开口，以使各空腔与外界隔绝。本公开能够在任意相邻的两个第一互连线之间形成空腔，降低了互连线之间的寄生电容，有利于提升信号传输的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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