[发明专利]一种SiC陶瓷膜电化学反应电极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910194755.2 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN109928759A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 徐慢;翁欲晓;石和彬;沈凡;王树林;朱丽;陈阳波;季家友 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B41/89;C02F1/467;C02F1/461;C02F101/30
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明;李欣荣
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种SiC陶瓷膜电化学反应电极,其自内而外依次包括催化剂层、碳层和碳化硅陶瓷膜基体。本发明所得电极中的导电碳层和催化剂均紧密地粘附于碳化硅陶瓷膜基体上,可充分利用碳化硅陶瓷膜基体强度高的特点,使导电碳层和催化剂具有更高的强度,从而延长电极的使用寿命,且催化剂和导电碳层紧密结合,具有更高的处理效率;此外,碳化硅陶瓷膜作为基体,其空隙率大于35%,在废水处理过程中,还可以起到分离过滤杂质等作用;可有效解决石墨电极强度较差,在电流密度较高时电极损耗大、电极效率低、使用寿命短等问题。
搜索关键词: 碳化硅陶瓷膜 电极 导电碳层 催化剂 电化学反应 使用寿命 陶瓷膜 废水处理过程 处理效率 催化剂层 电极损耗 电极效率 石墨电极 有效解决 空隙率 碳层 粘附 制备 过滤
【主权项】:
1.一种SiC陶瓷膜电化学反应电极,其特征在于,其自内而外依次包括催化剂层、碳层和碳化硅陶瓷膜基体,其中碳化硅陶瓷膜基体的空隙率大于35%,孔径为0.3‑0.5μm。
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