[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法有效

专利信息
申请号: 201910196054.2 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN110028059B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 赵沛;邹振兴;郑浩然;张学薇;任钱诚;王宏涛 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 代理人: 杜放
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法,减少制备过程中等离子体对石墨烯的破坏,生长均匀连续的高质量石墨烯。该制备石墨烯的方法依次包括以下步骤:1)将铜管放入石英管内,将基底放入铜管内;2)将内置有铜管和基底的石英管放入等离子体增强化学气相沉积的反应炉中,向反应炉内通入氢气并对基底进行退火处理,然后将反应炉的温度从退火温度降至600℃;3)调节氢气流量为50~100sccm并通入甲烷,甲烷流量为5sccm,打开射频、进行石墨烯生长,射频功率为200W,生长5~180min后关闭射频和加热装置,并停止向反应炉内通入氢气和甲烷,将反应炉冷却至室温。
搜索关键词: 一种 等离子体 增强 化学 沉积 制备 石墨 方法
【主权项】:
1.一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法,其特征在于,依次包括以下步骤:1)将铜管放入石英管内,将基底放入铜管内;2)将内置有铜管和基底的石英管放入等离子体增强化学气相沉积的反应炉中,向反应炉内通入氢气并开启加热装置、对基底进行退火处理,然后将反应炉的温度从退火温度降至600℃;3)调节氢气流量为50~100sccm并通入甲烷,甲烷流量为5sccm,打开射频、进行石墨烯生长,射频功率为200W,生长5~180min后关闭射频和加热装置,并停止向反应炉内通入氢气和甲烷,将反应炉冷却至室温。
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