[发明专利]一种集中-分散并联型开关电容均衡电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910196080.5 申请日: 2019-03-13
公开(公告)号: CN109921485B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 张小兵;周国华;冷敏瑞;田庆新 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 成都盈信专利代理事务所(普通合伙) 51245 代理人: 崔建中
地址: 611756 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种集中‑分散并联型开关电容均衡电路及其控制方法。均衡电路包括n个依次串联的电池,其中有且仅有一个电池为集中并联电池;n‑1个均衡电容通过分散并联开关组中的开关管分别与n‑1个电池并联,再通过集中并联开关组中的开关管与剩余的1个集中并联电池并联,且各均衡电容通过集中并联开关组相互并联。集中并联开关组和分散并联开关组的控制信号为一对频率固定、占空比互补且设置有死区时间的PWM信号。本发明的有益效果是:以电容作为能量传输媒介,均衡电路原理简单、控制简单;与传统的开关电容均衡技术相比,为任意两个电池提供了直接均衡通路,缩短了均衡路径,消除了电池电压不均衡分布对均衡速度的影响。
搜索关键词: 一种 集中 分散 并联 开关 电容 均衡 电路 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种集中‑分散并联型开关电容均衡电路,其特征在于,包括依次串联的电池B1,B2,…,Bn,n≥3,其中有且仅有一个电池为集中并联电池Bj;当j=n,还包括电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i<j;当1<j<n,还包括电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i<j;电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j;当j=1,还包括电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j。
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