[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910196146.0 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697052B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有第二鳍部层和第二鳍部层上的第一鳍部层；在衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅极层，伪栅极结构横跨第一鳍部层和第二鳍部层；在伪栅极结构两侧的第一鳍部层和第二鳍部层内形成源漏开口；在源漏开口底部形成第一侧墙，第一侧墙位于所述第二鳍部层的侧壁上；在源漏开口内形成源漏掺杂层；在衬底上和第一鳍部层上形成隔离层，且隔离层暴露出伪栅极结构；去除伪栅极层，在隔离层内形成初始栅开口；去除初始栅开口底部的第二鳍部层，在隔离层内及第一鳍部层和衬底之间形成栅极开口；在栅极开口内形成栅极结构，栅极结构包围第一鳍部层。形成的半导体结构提升了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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