[发明专利]半导体结构及形成方法有效
| 申请号： | 201910196224.7 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111696867B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡扬;汪军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在栅极结构的侧壁形成第一侧墙；在栅极结构和第一侧墙两侧的衬底内分别形成外延层，所述外延层表面高于所述衬底表面；在衬底上形成介质层，所述介质层位于所述外延层上和第一侧墙表面，且所述介质层暴露出所述栅极结构；在形成介质层之后，去除所述第一侧墙，在所述外延层和栅极结构、以及介质层和栅极结构之间形成第一开口；在所述第一开口内形成第二侧墙，且所述第二侧墙内具有位于外延层和栅极结构之间的空隙。所形成的半导体结构降低了晶体管的功耗，改善了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
