[发明专利]一种溶胶凝胶法制备非易失性存储器件的方法

摘要

本发明公开了一种溶胶凝胶法制备非易失性存储器件的方法，首先在Si衬底上旋涂M溶胶，通过烘烤形成M隧穿层，而后在M隧穿层上旋涂ZrO₂溶胶，通过烘烤形成ZrO₂存储层，紧接着在ZrO₂存储层上旋涂M溶胶，通过烘烤形成M阻挡层，其中M可在SiO₂和Al₂O₃中任选一种，利用磁控溅射在阻挡层上沉积金属上电极，在衬底背面涂覆银胶下电极，形成非易失性存储器件。

主权项

1.一种溶胶凝胶法制备非易失性存储器件的方法，其特征在于具体步骤如下：a)将清洗后的Si衬底固定在匀胶机衬底台上；b)将M溶胶滴在Si衬底表面，旋涂一层M溶胶层，M可在SiO₂和Al₂O₃中任选一种，匀胶机的转速为每分钟6000转，旋涂时间在2分钟至3分钟范围内取值，匀胶机衬底台温度为室温，而后升高匀胶机衬底台温度进行原位烘烤，得到M隧穿层，烘烤温度在100℃至150℃范围内取值，烘烤时间在10分钟至30分钟内取值；c)降低匀胶机衬底台温度至室温，紧接着将ZrO₂溶胶滴在M隧穿层表面，旋涂一层ZrO₂溶胶层，匀胶机的转速为每分钟6000转，旋涂时间在30秒至40秒范围内取值，而后升高匀胶机衬底台温度进行原位烘烤，得到ZrO₂存储层，烘烤温度在100℃至150℃范围内取值，烘烤时间在10分钟至30分钟内取值；d)降低匀胶机衬底台温度至室温，紧接着将与隧穿层相同的M溶胶滴在ZrO₂存储层表面，旋涂一层M溶胶层，匀胶机的转速为每分钟6000转，旋涂时间在15秒至20秒范围内取值，而后升高匀胶机衬底台温度进行原位烘烤，得到M阻挡层，烘烤温度在100℃至150℃范围内取值，烘烤时间在10分钟至30分钟内取值；e)利用磁控溅射沉积系统在M阻挡层表面沉积一层金属N作为上电极，厚度在100nm至150nm范围内取值，其中N可在Pt、Al、Au中任选一种，将导电Ag胶涂覆在Si衬底背面作为下电极，形成Ag/Si/M/ZrO₂/M/N结构的非易失性存储器件。