[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910198422.7 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110323204A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 朴宰弘;李禹镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；第一金属布线和第二金属布线，设置在层间绝缘层中，第一金属布线和第二金属布线在第一方向上彼此分隔开，第一金属布线和第二金属布线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；空气间隙，在第一金属布线和第二金属布线之间形成在层间绝缘层中，并且与第一金属布线的侧壁和第二金属布线的侧壁分隔开；以及覆盖层，设置在层间绝缘层上，覆盖层覆盖第一金属布线、第二金属布线和空气间隙，其中，空气间隙设置在第一方向上距第一金属布线第一距离处，并且设置在第一方向上距第二金属布线第二距离处，其中，第一距离和第二距离相等。 | ||
| 搜索关键词： | 金属布线 层间绝缘层 半导体器件 空气间隙 覆盖层 侧壁 分隔 方向垂直 距离相等 基底 覆盖 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；第一金属布线和第二金属布线，设置在所述层间绝缘层中，所述第一金属布线和所述第二金属布线在第一方向上彼此分隔开，所述第一金属布线和所述第二金属布线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；空气间隙，在所述第一金属布线与所述第二金属布线之间形成在所述层间绝缘层中，所述空气间隙与所述第一金属布线的侧壁和所述第二金属布线的侧壁分隔开；以及覆盖层，设置在所述层间绝缘层上，所述覆盖层覆盖所述第一金属布线、所述第二金属布线和所述空气间隙，其中，所述空气间隙设置在所述第一方向上距所述第一金属布线第一距离处并且设置在所述第一方向上距所述第二金属布线第二距离处，并且其中，所述第一距离和所述第二距离相等。
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