[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在形成台阶结构后，先至少在台阶结构上形成台阶覆盖层，再至少在台阶覆盖层上形成填充层，台阶覆盖层选用能阻挡填充层内的自由基扩散至堆叠层的材料。这样，可以在填充层和台阶结构之间形成自由基的阻挡层，即使在填充层中存在H根和OH根的自由基，释放后的H根和OH根的自由基也会被台阶覆盖层阻挡，不会扩散到台阶结构中，因此不会对台阶结构造成侵蚀，实现了对台阶结构进行保护，从而提高器件性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层由绝缘层与牺牲层交替层叠形成或者由绝缘层与栅极层交替层叠形成，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述台阶区形成有台阶结构；至少在所述台阶结构上形成台阶覆盖层；至少在所述台阶覆盖层上形成填充层；所述台阶覆盖层选用能阻挡所述填充层内的自由基扩散至所述堆叠层的材料。