[发明专利]铟砷氮铋、使用该材料的激光器和探测器及制备方法

摘要

本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。

主权项

1.一种铟砷氮铋半导体材料，其特征在于，包括：衬底层，为InAs衬底层或辅助衬底层；缓冲层，在所述衬底层上外延生长InAs缓冲层；和铟砷氮铋半导体材料，在所述缓冲层上外延生长铟砷氮铋薄膜和异质结材料，其结构通式为InAs_1‑x‑yN_xBi_y，它是通过在InAs材料中掺入In原子和Bi原子获得。