[发明专利]一种采用铝金属制作再分布层的制程

摘要

本发明公开了一种采用铝金属制作再分布层的制程，该铝金属制作再分布层的制程包括晶圆沉积铝金属—表面平坦化—光刻胶定义图形—蚀刻金属—剥离光刻胶的工艺步骤。本发明中，通过在蚀刻金属工艺步骤中，通过向晶圆表面喷洒水雾与氯气结合形成盐酸来破坏其铝膜表面致密氧化膜，接着氯气与铝发生反应生成氯化铝，从而完成晶圆表面的刻蚀，有效避免金属氧化物的阻碍影响干蚀刻的进行，提高蚀刻效率，用PVD方法在晶圆表面形成一层铝金属，然后用光刻胶定义需要的图形，再利用干式蚀刻法蚀刻掉不需要的铝金属，最后剥离光刻胶，铝金属可以大大简化再分布层的制作流程，而且可以提高再分布层的平整度，配合CMP制程可以制作更多的层数。

主权项

1.一种采用铝金属制作再分布层的制程，其特征在于，该铝金属制作再分布层的制程包括晶圆沉积铝金属—表面平坦化—光刻胶定义图形—蚀刻金属—剥离光刻胶的工艺步骤，具有步骤如下：(1)晶圆沉积铝金属：将晶圆和铝金属放置在PVD设备内，在真空条件下利用气体放电或者加热的方式使铝金属蒸发，经过蒸发或者溅射后，在电场的作用下，在晶圆表面生成铝涂层；(2)表面平坦化：将步骤(1)表面生成有铝涂层的晶圆放置在CMP机台上，在一定的下压力及由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成生成有铝涂层的晶圆表面材料的去除，并获得光洁表面；(3)光刻胶定义图形：将步骤(2)平坦化的晶圆进行清洗，清洗后对其进行烘干，然后通过涂胶机在晶圆表面涂布光刻胶，然后再将涂布光刻胶的晶圆进行烘干，接着晶圆放置在光刻机的工作平台上，在晶圆上部放置掩膜版，开启光刻机对晶圆进行曝光，从而将掩膜版上图形转移至光刻胶表面；(4)蚀刻金属：将步骤(3)获得的晶圆放置在干蚀刻设备内，然后向晶圆表面喷洒水雾，接着向蚀刻腔体内通入含氯气体，水雾与氯气反应形成盐酸和次氯酸，通过盐酸与晶圆表层曝光区域铝膜表面的氧化铝进行反应，破坏其表面致密氧化膜，接着氯气与铝发生反应生成氯化铝，从而完成晶圆表面的刻蚀；(5)剥离光刻胶：机台通过液刀，低压喷嘴等将剥离液均匀喷洒至步骤(4)已完成蚀刻或者步骤(3)定义图形失败的晶圆表面，剥离液将光刻胶浸润，软化，然后通过高压喷嘴喷出的剥离液击打已被软化的光刻胶，将光刻胶击碎，分解，形成微胞，接着利用药液循环作用，洗净基板表面残留光刻胶，并降低剥离液内光刻胶含量，防止产生光刻胶回粘在基板上，从而完成光刻胶的剥离。