[发明专利]一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统及方法

摘要

本发明公开了一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统及方法，所述制备系统，包括掺硼子系统和与其相连的反应子系统，所述掺硼子系统包括进气装置和鼓泡装置，所述鼓泡装置安装在进气装置上；所述制备方法，包括反应气体配制、装置准备、进气、气体加热和金刚石沉积等步骤。氢气进入进气装置后被分成两路，一路直接进入反应子系统；另一路则作为载气，先进入鼓泡装置鼓泡，将丙酮与硼酸三甲脂混合溶液以蒸汽形式带出，再经流量计、针型阀与直通通路的氢气汇合，进入反子系统。相对于传统的硼烷掺杂而言，本发明操作简单、安全，且可以通过流量计对气体流量进行精确设定，易于控制掺杂浓度，导入的氧元素亦具有提高生长速率、改善金刚石质量的作用。

主权项

1.一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统，其特征在于：包括掺硼子系统（1）和与其相连的反应子系统（2）；所述掺硼子系统（1）包括进气装置（11）和鼓泡装置（12），所述鼓泡装置（12）安装在进气装置（11）上；所述反应子系统（2）包括真空装置（21）、布气装置（22）、冷却装置（23）以及加热装置（24），所述真空装置（21）包括真空室（211）和真空气压控制器（212），所述布气装置（22）和加热装置（24）均位于真空室（211）内，所述冷却装置（23）位于真空室（211）的下部用于冷却放置在其上的衬底（3）。