[发明专利]一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910200073.8 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110333564B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈焕君;黄悟朝;邓少芝;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：利用聚焦离子束对范德华层状材料进行刻蚀得到微纳结构；S2：将所制得的微纳结构置于100～1000℃下退火2～3h，即得到所述范德华激元材料微纳结构。本发明利用退火工艺对刻蚀后的微纳结构进行处理，可有效地使得样品表面的激元效应恢复。本发明提供的制备方法工艺简单，可以有效减少离子轰击对激元材料表面的影响，使得微纳结构仍然具有激元效应，为制备激元材料的微纳结构提供了一种新的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 聚焦 离子束 刻蚀 制备 范德华激元 材料 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于聚焦离子束刻蚀制备范德华激元材料微纳结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：利用聚焦离子束对激元材料进行刻蚀得到微纳结构；S2：将所制得的微纳结构置于100～1000℃下退火2～3h，即得到所述范德华激元材料微纳结构。
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