[发明专利]半导体发光器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体发光器件及其制作方法，所述半导体发光器件的发光单元是基于氮化物成核层选区生长得到，相邻的发光单元之间相互分隔，不需要再使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，简化了制作工艺流程，并且抑制了刻蚀或切割器件表面形成的非辐射复合中心。进一步地，通过对P型电极层和N型电极层的不同连接方式的制作，可以形成交流发光器件或高压发光器件，得到交流LED或者高压LED。

主权项

1.一种半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；基于所述衬底制作氮化物成核层和第一绝缘层；基于所述氮化物成核层和第一绝缘层制作多个发光单元；其中，基于所述氮化物成核层和第一绝缘层制作多个发光单元的方法为：以所述氮化物成核层为成核中心生长氮化物材料，形成电子传输层；基于所述电子传输层制作辐射复合层和空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述辐射复合层一侧以及所述第一绝缘层远离所述衬底一侧，制作P型电极层；在所述P型电极层表面制作第二绝缘层；去除所述P型电极层、空穴传输层和辐射复合层的一部分，形成暴露所述电子传输层的第一凹槽；制作与所述电子传输层连接的N型电极层；其中，制作完成多个发光单元之后，相邻的两个发光单元的P型电极层相连接或者通过其中一个发光单元的第二绝缘层相绝缘，且其中一个发光单元的N型电极层与相邻的另一发光单元的P型电极层或N型电极层连接，同一个发光单元的P型电极层和N型电极层通过所述第二绝缘层相绝缘。