[发明专利]一种无缺陷乱层堆叠石墨烯纳米膜的制备方法与应用有效
申请号: | 201910200705.0 | 申请日: | 2019-03-17 |
公开(公告)号: | CN109911888B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 高超;彭蠡;许震;刘一晗 | 申请(专利权)人: | 杭州高烯科技有限公司;浙江大学 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/194;H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 黄欢娣;邱启旺 |
地址: | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种无缺陷乱层堆叠石墨烯纳米膜的制备方法与应用,其中,2000度处理,修复了大部分的缺陷结构,同时保持了石墨烯片层乱层堆叠的状态。3000度的高温保证了缺陷的完全修复弥合。快速的升温减少了石墨烯片层堆积结构调整的时间,使得其来不及进行AB结构的调整。非ab结构使得层间作用力减弱,增加水平方向的热导率。无缺陷结构有利于电子的传输,不会形成电阻和热阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺陷 堆叠 石墨 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种无缺陷乱层堆叠石墨烯纳米膜的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:(1)制备独立自支撑的石墨烯膜;厚度方向,石墨烯膜的层数不大于200;(2)将独立自支撑的石墨烯膜逐步升温到2000℃,升温速度不大于60℃/min,2000℃维持2‑6小时;然后逐步升温到3000℃,升温速度为20~60℃/min,3000℃维持5~10小时。
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