[发明专利]一种氮气、氩气、氧气超纯纯化工艺及系统在审
| 申请号： | 201910201281.X | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109748251A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏;李文强;田维峰;李文豪;皮山丹;张文刚;李世海 | 申请（专利权）人： | 华谊高新纯化技术（大连）有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/04 | 分类号： | C01B21/04;C01B13/02;C01B23/00 |
| 代理公司： | 大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙) 21236 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体芯片制造领域中使用的大宗气体的纯化。一种氮气、氩气、氧气超纯纯化工艺，催化氧化工序：采用以金属氧化物作为载体担钯的氧化催化剂，原料气体经过加热到300摄氏度后进入催化反应器，原料气中的甲烷、一氧化碳、氢气、和非甲烷烃类被氧化催化剂氧化；吸附工序：经过催化氧化工序后的气体只含有氧、水、二氧化碳三种杂质，之后进入后端的吸附工序进行纯化，经脱氧剂纯化对氧、水、二氧化碳吸附，脱除氧、水、二氧化碳到1ppb以下。本发明工艺简单，不需要额外在原料气中加入过量的氧，有效延长了吸附工序的再生周期，脱氧剂对氧、水、二氧化碳的吸附容量大，降低了纯化器的运行成本。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附 二氧化碳 氮气 氧化催化剂 氩气 催化氧化 脱氧剂 原料气 氧气 半导体芯片制造 二氧化碳吸附 催化反应器 非甲烷烃类 工艺及系统 金属氧化物 吸附容量 原料气体 运行成本 再生周期 氢气 一氧化碳 纯化器 甲烷 脱除 加热 过量 | ||
【主权项】：
1.一种氮气、氩气、氧气超纯纯化工艺，其特征在于：包含催化氧化工序和吸附工序，（1）催化氧化工序：采用以金属氧化物作为载体担钯的氧化催化剂，催化氧化反应时不需要在原料气中额外配氧，原料气体经过加热到300摄氏度后进入催化反应器，催化反应器的工作温度为50‑300℃，，原料气中的甲烷、一氧化碳、氢气、和非甲烷烃类被氧化催化剂氧化；（2）吸附工序：经过催化氧化工序后的气体只含有氧、水、二氧化碳三种杂质，之后进入后端的吸附工序进行纯化，经吸附反应器纯化对氧、水、二氧化碳吸附，脱除氧、水、二氧化碳到1ppb以下。
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