[发明专利]具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件有效
| 申请号： | 201910203095.X | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109904237B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周锌;张凌芳;李治璇;王睿迪;乔明;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧化层、埋氧层、栅电极、源电极和漏电极；在所述的第二型掺杂杂质阱区和第一型掺杂杂质漂移区交界的地方还设置有绝缘介质埋层，本发明提供的横向高压器件可减少瞬时光电流的产生并避免寄生效应引起器件的烧毁，以此来提高器件抗瞬时剂量率辐射的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 瞬时 剂量率 辐射 加固 结构 横向 soi 高压 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，其特征在于：包括第二型掺杂杂质半导体衬底(30)；形成于所述第二型掺杂杂质半导体衬底(30)之上的埋氧层(20)；形成于所述埋氧层(20)之上的第一型掺杂杂质漂移区(40)和第二型掺杂杂质阱区(31)；形成于所述第二型掺杂杂质阱区(31)之中的第二型掺杂杂质接触区(32)和第一型掺杂杂质源区(42)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(40)内右侧的第一型掺杂杂质阱区(41)；形成于第一型掺杂杂质阱区(41)之中的第一型掺杂杂质漏区(43)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(40)和第二型掺杂杂质阱区(31)交界处的绝缘介质埋层(23)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(40)之中的浅槽隔离层(21)；形成于所述第二型掺杂杂质阱区(31)与第一型掺杂杂质漂移区(40)的上方的栅氧化层(22)；形成于所述栅氧化层(22)之上的栅电极(51)；形成于所述第二型掺杂杂质接触区(32)和第一型掺杂杂质源区(42)上方的的源电极(50)；形成于所述第一型掺杂杂质漏区(43)上方的漏电极(52)。
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