[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910203535.1 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109920838B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;高蜀峰;柏松;杨丽萍;李轩;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/06;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，器件包含源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑漂移区、Pbase区、N+源区、P+源区、栅沟槽区，本发明在碳化硅沟槽MOSFET器件内部集成二极管，避免引入外接二极管，减小元胞尺寸，显著提高电流密度，降低导通电阻，器件工作在第三象限时，源极加正压，P+区与N‑漂移区的耗尽层减小，形成从N+欧姆接触区域、N |
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| 搜索关键词： | 一种 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：漏极金属(12)、漏极金属(12)上方的N+衬底(11)、N+衬底(11)上方的N‑漂移区(6)；所述N‑漂移区(6)的内部上方中间设有N+欧姆接触区域(10)；所述N+欧姆接触区域(10)左侧设有第一P+区域(9)，N+欧姆接触区域(10)右侧设有第二P+区域(91)；所述N+欧姆接触区域(10)上方、第一P+区域(9)上方右侧以及第二P+区域(91)上方左侧设有第一源极金属(1)；所述第一P+区域(9)左侧上方设有第一N+源区(4)，第二P+区域(91)右侧上方设有第二N+源区(41)；所述第一N+源区(4)左侧设有第一P+源区(3)，第二N+源区(41)右侧设有第二P+源区(31)；所述第一P+源区(3)上方设有第二源极金属(2)，第二P+源区(31)上方设有第三源极金属(21)；所述第一N+源区(4)和第一P+源区(3)下方设有第一Pbase区(5)，第二N+源区(41)和第二P+源区(31)下方设有第二Pbase区(51)；在所述的第一N+源区(4)、第一Pbase区(5)二者右侧和第一P+区域(9)之间设有第一沟槽栅介质区域(7)且第一沟槽栅介质区域(7)延伸至第一P+区域(9)内部左侧，第二N+源区(41)、第二Pbase区(51)二者左侧和第二P+区域(91)之间设有第二沟槽栅介质区域(71)且第二沟槽栅介质区域(71)延伸至第二P+区域(91)内部右侧；在所述的第一沟槽栅介质区域(7)内部中间设有第一多晶硅栅(8)，第二沟槽栅介质区域(71)内部中间设有第二多晶硅栅(81)。
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