[发明专利]蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法有效
申请号: | 201910204193.5 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN110061089B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 夏恒;谷雪 | 申请(专利权)人: | 北京铭镓半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人: | 乔东峰;樊锦标 |
地址: | 101300 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明提供了一种蓝宝石衬底表面斜切氧化镓探测器及其制造方法,以及氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极,其中氧化镓薄膜为β‑Ga |
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搜索关键词: | 蓝宝石 斜切 衬底 优化 氧化 薄膜 生长 紫外 探测器 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化镓薄膜光电探测器,包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极,其特征在于:所述衬底为<0001>取向且表面有一个斜切角度的Al2O3衬底,所述氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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