[发明专利]蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法有效

专利信息
申请号: 201910204193.5 申请日: 2019-03-18
公开(公告)号: CN110061089B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 夏恒;谷雪 申请(专利权)人: 北京铭镓半导体有限公司
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 代理人: 乔东峰;樊锦标
地址: 101300 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种蓝宝石衬底表面斜切氧化镓探测器及其制造方法,以及氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极,其中氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜,衬底为Al2O3衬底。通过对Al2O3衬底进行不同角度斜切处理,能够增强光电探测器的性能。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一,适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单,且所用材料容易获得。
搜索关键词: 蓝宝石 斜切 衬底 优化 氧化 薄膜 生长 紫外 探测器 性能 方法
【主权项】:
1.一种氧化镓薄膜光电探测器,包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极,其特征在于:所述衬底为<0001>取向且表面有一个斜切角度的Al2O3衬底,所述氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜。
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