[发明专利]一种基于二维材料的非易失存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 201910204227.0 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111725326A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吴良妹;鲍丽宏;严佳浩;王爱伟;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于二维材料的非易失存储器及其操作方法，属于存储器技术领域，其包括控制栅叠层、浮栅叠层、沟道层和沟道源漏电极，所述浮栅叠层位于所述控制栅叠层和所述沟道层之间；所述浮栅叠层中的浮栅层和隧穿绝缘层选用二维材料。本发明提供的一种基于二维材料的非易失存储器，以解决现有技术中存在的问题，提供了一种新型的采用二维材料构建的具有超快编程速度的非易失存储器，通过给控制栅加电压，源漏电极两端接地的方法来实现对浮栅存储器进行编程，完成写入和擦除的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 非易失 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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